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模拟电子技术中相关基础知识的简介

(文章滥觞:电子制作站)

近几十年来,电子技巧成长异常迅速,利用也越来越广泛,今朝已成为今世科学技巧的一个紧张组成部分。那到底什么是电子技巧?简单地说,电子技巧便是钻研电子器件、电子电路及其利用的科学技巧,进修模电会为了我们今后深入进修电子技巧领域中的内容,以及电子技巧在专业中的利用打好根基。

好了,让我们以pN结的形成为动身点,进而懂得半导体二极管及其利用。

1、本征半导体:纯净 晶体布局 共价键 自由电子 空穴(成对呈现)即载流子(2种)【空穴电流 电子电流】,特征:电阻率大年夜 导电机能随温度变更对照大年夜。

2、掺杂半导体,a:N型半导体:掺入五价元素杂质(檀越杂质),自由电子为多子(多半载流子称为多子),空穴为少子,多子的浓度与掺入杂质的浓度有关而不是与温度有关,少子的浓度与温度有关;b:P型半导体:掺入三价元素(硼)受主杂质,空穴为多子,自由电子为少子,若掺入五价元素杂质浓度多于三价杂质浓度,可由P型转向N型。

3、PN结的形成,两边多子浓度不合——多子扩散——形成内电场——阻碍多子运动——加强少子的飘移——飘移和扩散杀青动态平衡——形成PN结。

注:因为交界面两侧的N型半导体和P型半导体存在多子浓度的极大年夜差异,P型半导体一侧的多子为空穴,其浓度弘远年夜于N型半导体一侧;N型半导体一侧的多子为电子,其浓度又弘远年夜于P型半导体一侧。这种浓度差使多子互相扩散经由过程交界面到达对方,并与对方的多子复合,使P区接近交界面处形成一个缺少空穴,只有负离子的薄膜层;N区接近交界面处形成一个缺少电子,只有正离子的薄层。

4、PN结的单领导电性,a:PN结的正向偏置 P——电源正极 N——电源负极,外电场使内电场减弱,动态平衡突破,多子扩散运动加强,少子飘移运动减弱,形成正向电流——PN导通;b:PN结的反向偏置 P——电源负极 N——电源正极 ,则PN截止。

5、pN结上电流与电压关系,存在如IF=Isexp(-eVF/kT)下关系,式中,-e为电子电量;k为玻尔兹曼常数;T为绝对温度;Is为反向饱和电流,。正向电压U>0,i=Isexp(U/ut); 反向电压U<0,i=IS(I 与U无关)。

(责任编辑:fqj)

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